据外媒报道,三星电子正在积极探索“铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)”作为下一代NAND闪存材料,希望这种新材料可以堆叠1000层以上的3D NAND,并实现pb级ssd。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。据三星电子高管预测,到2030年左右,其3D NAND的堆叠层数将超过1
了解详情 2025-04-15
据上海化工区官微消息,日前,贺利氏电化(上海)有限公司“电子化学品新建项目”奠基仪式于上海化工区举行。贺利氏电子化学材料事业部全球联席总裁Bernd Stenger表示,新项目的落地展示了贺利氏坚定的“在中国,为中国”战略,贺利氏看好中国集成电路行业的强大潜力和广阔前景,该项目旨在与中国半导体电子行业的共同成长,为中国的客户提供更好的产品和服务。据了解,贺利氏电子化学材料是贺利氏集团旗下事业部之一
了解详情 2025-04-15
200亿,这里崛起一个半导体超级独角兽来源:投资界近日,株洲中车时代半导体有限公司(简称“中车时代半导体”)宣布增资引入26位战略投资者及员工持股平台,金额为人民币 43.278亿元。据悉,参与本轮的意向投资者超过100家,竞争激烈,最终入局的包括了国家级基金、地方国资、半导体专业基金及券商系基金等阵容。根据增资比例计算,时代半导体估值超200亿,堪称湖南年度最大独角兽。而透过这只独角兽,一座湖南
了解详情 2025-04-14
据外媒报道,三星计划在今年6月召开的2024年晶圆代工论坛上,正式公布其1nm制程工艺计划,并计划将1nm的量产时间从原本的2027年提前到2026年。据了解,三星电子已于2022年6月在全球首次成功量产3nm晶圆代工,并计划在2024年开始量产其第二代3nm工艺。根据三星之前的路线图,2nm SF2 工艺将于2025年亮相,与 3nm SF3 工艺相比,同等情况下能效可提高25%,性能可提高12
了解详情 2025-04-14
来源:Karthik GopalSmartDV Technologies亚洲区总经理智权半导体科技(厦门)有限公司总经理中国集成电路设计业在最近十年取得了长足的发展,这不仅体现在行业中出现了一大批成功的芯片设计企业,他们不断努力使其产品达到了世界一流的水平,而且还体现在这些领先的中国企业已经非常善于建立完善的产业生态,产品进入了全球领先的、分布于各个行业的品牌厂商(OEM)和设计公司,同时还与各大
了解详情 2025-04-14