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乐鱼体育官网入口app-拓荆科技:超高深宽比沟槽填充CVD产品首台已通过客户验证

来源:集成电路材料研究近日,拓荆科技在接受机构调研时表示,公司自主研发并推出的超高深宽比沟槽填充CVD产品首台已通过客户验证,实现了产业化应用,并获得客户重复订单及不同客户订单,陆续出货至客户端验证。超高深宽比沟槽填充CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料,经过固化及氧化等处理工艺后,可达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。拓荆科技称,目前与超高深宽比沟槽填充CVD设备相关的反应腔

 

了解详情    2025-01-25

乐鱼体育官网入口app-台积电和三星,去中东建巨型晶圆厂?或彻底改变芯片行业

华尔街日报报道,台积电和三星两家芯片制造巨头已讨论在阿联酋建设大型工厂综合体,这可能会在未来几年改变该行业,并成为中东人工智能投资的基石。据知情人士透露,全球最大芯片制造商台湾半导体制造公司的高管最近访问了阿联酋,并谈到了一座与该公司在台湾一些最大、最先进的工厂相当的工厂综合体。据其他了解三星电子战略的人士透露,三星电子也在考虑未来几年在该国建立大型新芯片制造业务。他们说,这家韩国公司的高层领导最

 

了解详情    2025-01-25

乐鱼体育官网入口app-英飞凌推出全新 135 V 和 150 V 产品系列,扩展其 OptiMOS 6 MOSFET 产品组合

来源:Power Electronics News新型 OptiMOS™ 6 135 V 和 150 V MOSFET 可提高驱动器和 SMPS 应用的效率。英飞凌科技股份有限公司推出全新 135 V 和 150 V 产品系列,升级的了其 OptiMOS™ 6 MOSFET 产品组合。这些器件的设计符合驱动和开关电源 (SMPS) 应用的规格,是对之前推出的 OptiMOS 6 120 V MOS

 

了解详情    2025-01-24

乐鱼体育官网入口app-RTX雷神公司将开发用于量子电子和紫外激光器的超宽禁带半导体

来源:Military AerospaceUWBGS 计划将为半导体电子领域的下一次革命,开发和优化超宽禁带材料和制造工艺。美国军方研究人员需要为新一代超宽禁带半导体开发新型集成电路衬底、器件层、结和低电阻电触点。他们从 RTX 公司找到了解决方案。位于美国弗吉尼亚州阿灵顿的美国国防高级研究计划局 (DARPA) 人员于 2024 年 9 月 13 日宣布与美国弗吉尼亚州阿灵顿的 RTX 雷神公司

 

了解详情    2025-01-24

乐鱼体育官网入口app-国内首条!光子芯片中试线,无锡启用

来源:无锡日报 在全链条推进量子科技这一未来产业技术攻关和成果应用上无锡再迎重磅动作 25日,由上海交通大学无锡光子芯片研究院建设的国内首条光子芯片中试线正式启用,这标志着光子芯片正式步入产业化快车道,将突破原有的计算范式限制,为大规模智算带来新的想象空间。光子芯片是新一代信息技术的核心,能满足新一轮科技革命中人工智能、物联网、云计算、生物医药等领域对传输、计算、存储、显示的技术需求,已成为经济增

 

了解详情    2025-01-24
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