近日,Sandisk(闪迪)宣布成立技术顾问委员会,指导其高带宽闪存(High Bandwidth Flash,HBF™)技术的开发和战略。该委员会由闪迪内部和外部的行业专家与高级技术人才组成。其中,教授大卫·帕特森和拉贾·科杜里将在闪迪准备推出HBF时提供战略指导、技术见解、市场观点并制定开放标准。据介绍,大卫·帕特森是一位杰出的计算机科学家
了解详情 2026-01-16
7月30日,英诺赛科宣布与联合汽车电子(简称:联合电子)宣布成立联合实验室,利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势,开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方在联合电子(苏州研发中心)举行了联合实验室揭幕仪式。新能源汽车行业正处于快速发展阶段,对电力电子系统的性能要求日益提高,而氮化镓器件的高功率密度、低导通电阻等特性恰好能满足这一需求。据了解,英诺赛科是全球领先的8英寸GaN-on-Si(硅基氮
了解详情 2026-01-15
7月29日,英飞凌分拨中心(中国)定制项目签约暨奠基仪式在上海浦东机场综合保税区内举行,标志着该项目正式进入建设阶段。该项目建筑面积4.3万平方米,定位为英飞凌全球三大物流枢纽之一,是目前英飞凌在全球单体建筑面积最大的成品分拨中心。项目建成后,将通过引入智能化管理系统实现订单与发货的无缝衔接,为客户提供更高效、更可持续、更具韧性的服务体验。英飞凌透露,升级后的英飞凌分拨中心(中国)预计将于2027
了解详情 2026-01-15
据韩国经济日报报道,三星与特斯拉达成总价值165亿美元的芯片代工合约之后,三星准备对美国追加70亿美元的投资,以便在美国建立一座半导体先进封装工厂。三星董事长李在镕预计将很快访问美国,参与正在进行的贸易谈判。因此,三星预计将会在谈判期间或谈判结束后,正式宣布这项对美国投资的计划。三星早在2021年宣布在美国德州泰勒市(Taylor)建一座5纳米制程晶圆厂。不过,面临当地的通货膨胀、劳动力和材料成本
了解详情 2026-01-15
近日,新型ReRAM存储器研发企业燕芯微宣布完成近亿元天使轮融资,本轮融资由领航新界领投,燕缘创投、考拉基金、思瑞浦旗下芯阳基金、华宇科创投、佰维存储等机构共同战略投资。新型 ReRAM(Resistive Random-Access Memory,阻变存储器)是一种基于电阻变化实现数据存储的非易失性存储器。与传统的闪存(Flash)、DRAM 等存储器相比,ReRAM 具有显著优势:其存储单元结
了解详情 2026-01-15